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強磁場對非線性光學(xué)晶體ZnGeP2生長及性能的影響

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按化學(xué)計量比并富P2%配料，通過改進的單溫區(qū)合成法合成出高純、單相的ZnGeP2多晶原料，在無磁場、6T勻強磁場和上、下梯度磁場條件下

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